如果没有超薄的介电薄膜，很难想象今天的微电子和纳米技术。特别是二氧化硅和氮化硅电子材料，在半导体和微电子工业中发挥着重要作用。如今，原子层沉积（ALD）是用于实现超薄、高度共形和均匀薄膜的最先进的沉积技术，因此，匹配合适的前体以保证可重复的薄膜生长是至关重要的。

事实上，双（叔丁基氨基）硅烷（BTBAS）由于高沉积速率而获得了特别的认可。这种不含卤素的氨基硅烷允许在相对较低的温度下精确控制超薄膜的沉积。

图1.双（叔丁基氨基）硅烷

Strem Catalog提供(14-1060)和(14-1072)两种BTBAS，这种基于胺的硅前体具有99.999%-Si的高纯度，并由于其超高纯度，而在电子应用中备受关注。

BTBAS在高温（250-350°C）、低温（50-200°C）和PlO2等离子体增强条件下，具有O3的SiOx层表现出高的膜生长速率^[1-3]。此外，晶体管中氮化硅间隔层的材料性能和生长控制要求：在100-400°C的温度范围内使用氮等离子体，并通过等离子体辅助原子层沉积SiNx膜来实现的^[4-7]。

参考文献

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2. J. Phys. Chem. C, 2016, 120, 10927.
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6. Chem. Mater. 2016, 28, 5864.
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