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晶硅制造及坩埚涂层相关原辅料

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单晶硅具有显著的半导电性,作为一种比较活泼的非金属元素晶体,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。高性能单晶硅的纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上,可用于制造半导体器件、太阳能电池、芯片等。

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品名 CAS 货号
Barium Hydroxide Octahydrate
氢氧化钡 八水合物
12230-71-6 1198
Barium(II) carbonate
碳酸钡
513-77-9 IN1177
Aluminum hydroxide, 99.5%, analytical grade
氢氧化铝 , 99.5%
21645-51-2 961580
Silicon nitride, 0.2-2.5 microns (99.99%-Si) PURATREM
氮化硅 , (99.99%-Si)
12033-89-5 14-7423
Tantalum(V) chloride, 99.9%
五氯化钽(V) , 99.9%
7721-01-9 296141
Tantalum(V) oxide, 99.8% (99.95+%-Ta)
氧化钽 , (99.95+%-Ta)(metals basis)
1314-61-0 73-2000
Zirconium(iv) oxide, 99.3%
氧化锆(IV) , 99.3%
1314-23-4 972401
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