晶圆、薄膜、转移膜上新！解锁石墨烯材料潜力-百灵威

在科技高速发展的当下，石墨烯晶圆、薄膜和转移膜在众多领域潜力无限。在半导体领域，传统硅基芯片发展受限，石墨烯晶圆因超高载流子迁移率和良好导热性，成下一代芯片材料的热门之选，剑桥大学衍生公司 Paragraf 及美国 Grolltex 等都在积极推进相关生产。石墨烯薄膜凭借出色的导电、导热性，在电子、能源、传感器、光学及复合材料等领域广泛应用，能提升电子设备性能、助力高性能电池研发、用于环境和生物医学检测等。而石墨烯转移膜作为关键辅助材料，其技术发展对石墨烯商业化应用意义重大，虽已在高端领域有成果，但仍面临转移缺陷控制和残留物去除等挑战。

百灵威可以提供多种石墨烯相关产品，产品详情如下：

1、石墨烯晶圆

通过"磁控溅射+固相外延重结晶"的技术制备铜单晶晶圆，进而在铜单晶、蓝宝石或者SiO2/Si衬底上外延生长得到单晶石墨烯晶圆。利用界面结合力与热应力工程消除了石墨烯的褶皱与台阶束，使其粗糙度（RMS）降低至1nm以下。相较于普通CVD石墨烯薄膜，单晶石墨烯晶圆具有更高的平整度，媲美机械剥离石墨烯的超强机械性能以及超高的均一性，是石墨烯应用于高性能电子及光电子器件集成的理想材料。

产品名称	货号	产品详情
单层单晶石墨烯晶圆，衬底为蓝宝石，粗糙度：<1 nm，4英寸	9426669	1. 尺寸：4 inch 2. 粗糙度：<1 nm 3. 单层覆盖率：>99% 4. 石墨烯覆盖率：>99% 5.面电阻：<300 Ω/sq （SiO2/Si 衬底）
单层单晶石墨烯晶圆，衬底为蓝宝石，粗糙度：<1 nm，6英寸	9426670	1. 尺寸：4 inch 2. 粗糙度：<1 nm 3. 单层覆盖率：>99% 4. 石墨烯覆盖率：>99% 5.面电阻：<300 Ω/sq （SiO2/Si 衬底）
无转移高品质石墨烯晶圆，衬底为蓝宝石，1层（单层率90%以上），透光率85.7%，2英寸	9426699	1层（单层率90%以上）透光率（可见光波段）：87.5% 面电阻（Ω/Sq）：低于1500
无转移高品质石墨烯晶圆，衬底为蓝宝石，1层（单层率90%以上），透光率85.7%，4英寸	9426700	1层（单层率90%以上）透光率（可见光波段）：87.5% 面电阻（Ω/Sq）：低于1500
无转移高品质石墨烯晶圆，衬底为蓝宝石，1层（单层率90%以上），透光率85.7%，6英寸	9426701	1层（单层率90%以上）透光率（可见光波段）：87.5% 面电阻（Ω/Sq）：低于1500
无转移石墨烯晶圆，衬底为蓝宝石，3-5层，2英寸，1 EA=10 pcs	9426702	3-5层透光率（可见光波段）：81.1-76.5% 面电阻（Ω/Sq）：低于3000
无转移石墨烯晶圆，衬底为蓝宝石，5-7层，4英寸，1 EA=10 pcs	9426703	5-7层透光率（可见光波段）：76.5-71.9% 面电阻（Ω/Sq）：低于3000
无转移石墨烯晶圆，衬底为蓝宝石，5-7层，6英寸，1 EA=3 pcs	9426704	5-7层透光率（可见光波段）：76.5-71.9% 面电阻（Ω/Sq）：低于3000
无转移石墨烯晶圆，衬底为蓝宝石，8-10层，8英寸	9426705	8-10层透光率（可见光波段）：76.5-71.9% 面电阻（Ω/Sq）：低于3000
无转移石墨烯晶圆，衬底为SiO2/Si，面电阻低于3000，2英寸，1 EA=10 pcs	9426706	面电阻（Ω/Sq）：低于3000
无转移石墨烯晶圆，衬底为SiO2/Si，面电阻低于3000，4英寸，1 EA=10 pcs	9426707	面电阻（Ω/Sq）：低于3000
无转移石墨烯晶圆，衬底为SiO2/Si，面电阻低于3000，6英寸，1 EA=3 pcs	9426708	面电阻（Ω/Sq）：低于3000
无转移石墨烯晶圆，衬底为SiO2/Si，面电阻低于3000，8英寸	9426709	面电阻（Ω/Sq）：低于3000
无转移石墨烯晶圆，衬底为石英，面电阻低于3000，12英寸	9426710	面电阻（Ω/Sq）：低于3000
无转移石墨烯晶圆，衬底为石英，面电阻低于3000，2英寸，1 EA=10 pcs	9426711	3-5层透光率（可见光波段）：81.1-76.5% 面电阻（Ω/Sq）：低于3000
无转移石墨烯晶圆，衬底为石英，面电阻低于3000，4英寸，1 EA=10 pcs	9426712	5-7层透光率（可见光波段）：76.5-71.9% 面电阻（Ω/Sq）：低于3000
无转移石墨烯晶圆，衬底为石英，面电阻低于3000，6英寸，1 EA=3 pcs	9426713	5-7层透光率（可见光波段）：76.5-71.9% 面电阻（Ω/Sq）：低于3000

2、石墨烯薄膜

超洁净石墨烯薄膜（Cu-P1-C4）解决了石墨烯高温CVD生长过程中的本征碳污染的问题，相比于常规CVD石墨烯，超洁净石墨烯具有更高的透光性，更高的迁移率，更低的接触电阻，更快的界面电荷转移性能以及更良好的亲水性，是研究石墨烯本征物理化学性质、探索高端器件应用、以及制定检测标准的理想样品。

产品名称	货号	产品详情
单层单晶石墨烯薄膜，单晶铜箔外延单晶石墨烯，1cm×1cm	9426671	1. 单晶铜箔外延单晶石墨烯 2. 铜箔厚度：28 μm 3. 晶面：Cu(111) 4. 石墨烯覆盖度：> 99% 5. 石墨烯单层率：> 95% 6. 面电阻：400 ± 50 Ω/sq （SiO2/Si 衬底）
单层单晶石墨烯薄膜，单晶铜箔外延单晶石墨烯，2cm×2cm	9426672	1. 单晶铜箔外延单晶石墨烯 2. 铜箔厚度：28 μm 3. 晶面：Cu(111) 4. 石墨烯覆盖度：> 99% 5. 石墨烯单层率：> 95% 6. 面电阻：400 ± 50 Ω/sq （SiO2/Si 衬底）
单层单晶石墨烯薄膜，单晶铜箔外延单晶石墨烯，3cm×3cm	9426673	1. 单晶铜箔外延单晶石墨烯 2. 铜箔厚度：28 μm 3. 晶面：Cu(111) 4. 石墨烯覆盖度：> 99% 5. 石墨烯单层率：> 95% 6. 面电阻：400 ± 50 Ω/sq （SiO2/Si 衬底）
单层单晶石墨烯薄膜，单晶铜箔外延单晶石墨烯，4cm×4cm	9426674	1. 单晶铜箔外延单晶石墨烯 2. 铜箔厚度：28 μm 3. 晶面：Cu(111) 4. 石墨烯覆盖度：> 99% 5. 石墨烯单层率：> 95% 6. 面电阻：400 ± 50 Ω/sq （SiO2/Si 衬底）
单层单晶石墨烯薄膜，单晶铜箔外延单晶石墨烯，5cm×5cm	9426675	1. 单晶铜箔外延单晶石墨烯 2. 铜箔厚度：28 μm 3. 晶面：Cu(111) 4. 石墨烯覆盖度：> 99% 5. 石墨烯单层率：> 95% 6. 面电阻：400 ± 50 Ω/sq （SiO2/Si 衬底）
单层单晶石墨烯薄膜，单晶铜箔外延单晶石墨烯，10cm×10cm	9426676	1. 单晶铜箔外延单晶石墨烯 2. 铜箔厚度：28 μm 3. 晶面：Cu(111) 4. 石墨烯覆盖度：> 99% 5. 石墨烯单层率：> 95% 6. 面电阻：400 ± 50 Ω/sq （SiO2/Si 衬底）
单层多晶石墨烯薄膜，衬底为铜箔，铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2，1cm×1cm	9426677	1.铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2 2. 铜箔厚度：28 μm，50μm 3. 石墨烯覆盖度：> 99% 4. 石墨烯单层率：> 90% 5. 石墨烯最大畴区尺寸：500 μm 6. 面电阻：300-500 Ω/sq（SiO2/Si衬底）
单层多晶石墨烯薄膜，衬底为铜箔，铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2，2cm×2cm	9426678	1.铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2 2. 铜箔厚度：28 μm，50μm 3. 石墨烯覆盖度：> 99% 4. 石墨烯单层率：> 90% 5. 石墨烯最大畴区尺寸：500 μm 6. 面电阻：300-500 Ω/sq（SiO2/Si衬底）
单层多晶石墨烯薄膜，衬底为铜箔，铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2，5cm×5cm	9426679	1.铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2 2. 铜箔厚度：28 μm，50μm 3. 石墨烯覆盖度：> 99% 4. 石墨烯单层率：> 90% 5. 石墨烯最大畴区尺寸：500 μm 6. 面电阻：300-500 Ω/sq（SiO2/Si衬底）
单层多晶石墨烯薄膜，衬底为铜箔，铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2，10cm×10cm	9426680	1.铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2 2. 铜箔厚度：28 μm，50μm 3. 石墨烯覆盖度：> 99% 4. 石墨烯单层率：> 90% 5. 石墨烯最大畴区尺寸：500 μm 6. 面电阻：300-500 Ω/sq（SiO2/Si衬底）
单层多晶石墨烯薄膜，衬底为铜箔，铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2，10cm×20cm	9426681	1.铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2 2. 铜箔厚度：28 μm，50μm 3. 石墨烯覆盖度：> 99% 4. 石墨烯单层率：> 90% 5. 石墨烯最大畴区尺寸：500 μm 6. 面电阻：300-500 Ω/sq（SiO2/Si衬底）
单层多晶石墨烯薄膜，衬底为铜箔，铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2，21cm×29.7cm	9426682	1.铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2 2. 铜箔厚度：28 μm，50μm 3. 石墨烯覆盖度：> 99% 4. 石墨烯单层率：> 90% 5. 石墨烯最大畴区尺寸：500 μm 6. 面电阻：300-500 Ω/sq（SiO2/Si衬底）
单层多晶石墨烯薄膜，衬底为铜箔，铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2，29.7cm×42cm	9426683	1.铜单晶畴区尺寸 Cuds：Cuds < 9 cm2 2. 铜箔厚度：28 μm，50μm 3. 石墨烯覆盖度：> 99% 4. 石墨烯单层率：> 90% 5. 石墨烯最大畴区尺寸：500 μm 6. 面电阻：300-500 Ω/sq（SiO2/Si衬底）

3、石墨烯转移膜

柔性衬底转移⸺PET基石墨烯将高品质石墨烯薄膜转移至PET衬底上，PET基石墨烯目前主要作为透明导电、导热薄膜材料被应用于柔性可穿戴传感器元件及其他领域。硬质衬底转移⸺硅基石墨烯将高品质石墨烯薄膜转移至硅基衬底的样品。主要应用于半导体及芯片等尖端行业，可显著提高电子迁移率，降低面电阻，进而提升元器件性能。

同时，我们还可以提供定制化石墨烯转移服务，根据客户提供的不同衬底进行定制化石墨烯转移服务，通过优化转移工艺尽可能满足客户的需求。

产品名称	货号	产品详情
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到PET衬底，2cm×2cm	9426690	单层单晶石墨烯薄膜转移到PET衬底
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到PET衬底，5cm×5cm	9426691	单层单晶石墨烯薄膜转移到PET衬底
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到PET衬底，10cm×10cm	9426692	单层单晶石墨烯薄膜转移到PET衬底
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到PET衬底，2cm×2cm	9426693	单层多晶石墨烯薄膜转移到PET衬底
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到PET衬底，5cm×5cm	9426694	单层多晶石墨烯薄膜转移到PET衬底
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到PET衬底，10cm×10cm	9426695	单层多晶石墨烯薄膜转移到PET衬底
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到硅衬底，2cm×2cm	9426684	单层单晶石墨烯薄膜转移到硅衬底
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到硅衬底，5cm×5cm	9426685	单层单晶石墨烯薄膜转移到硅衬底
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到硅衬底，10cm×10cm	9426686	单层单晶石墨烯薄膜转移到硅衬底
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到硅衬底，2cm×2cm	9426687	单层多晶石墨烯薄膜转移到硅衬底
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到硅衬底，5cm×5cm	9426688	单层多晶石墨烯薄膜转移到硅衬底
石墨烯转移膜，单层单晶石墨烯薄膜转移到硅衬底，10cm×10cm	9426689	单层多晶石墨烯薄膜转移到硅衬底
晶圆级石墨烯转移膜，石墨烯晶圆级薄膜转移到硅衬底，2cm×2cm	9426696	石墨烯晶圆级薄膜转移到硅衬底
晶圆级石墨烯转移膜，石墨烯晶圆级薄膜转移到硅衬底，4cm×4cm	9426697	石墨烯晶圆级薄膜转移到硅衬底
晶圆级石墨烯转移膜，石墨烯晶圆级薄膜转移到硅衬底，Four inches	9426698	石墨烯晶圆级薄膜转移到硅衬底

晶圆、薄膜、转移膜上新！解锁石墨烯材料潜力

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